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STB7ANM60N

MOSFET N-CH 600V D2PAK

Numéro d'article

STB7ANM60N

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ II

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

45W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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