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STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A
Numéro d'article
STB43N65M5
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
250W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
42A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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