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STB100NH02LT4

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Numéro d'article

STB100NH02LT4

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

STripFET™ III

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

24V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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