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IRF640

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Numéro d'article

IRF640

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MESH OVERLAY™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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