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GKI04076

GKI04076

MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN
Numéro d'article
GKI04076
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-DFN (5x6)
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta), 46W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 350µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de GKI04076
GKI04076 Composants électroniques
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