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RF4E100AJTCR

MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

Numéro d'article

RF4E100AJTCR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerUDFN

Package d'appareil du fournisseur

HUML2020L8

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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