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R6030KNZC8

R6030KNZC8

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
Numéro d'article
R6030KNZC8
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-3PF
Dissipation de puissance (maximum)
86W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de R6030KNZC8
R6030KNZC8 Composants électroniques
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R6030KNZC8 Distributeur
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