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R6008ANX

R6008ANX

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Numéro d'article
R6008ANX
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220FM
Dissipation de puissance (maximum)
50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de R6008ANX
R6008ANX Composants électroniques
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