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R6004CNDTL

R6004CNDTL

MOSFET N-CH 600V 4A CPT
Numéro d'article
R6004CNDTL
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Not For New Designs
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
CPT3
Dissipation de puissance (maximum)
40W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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En stock 20209 PCS
Coordonnées
Mots-clés de R6004CNDTL
R6004CNDTL Composants électroniques
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