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R6003KND3TL1
MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Numéro d'article
R6003KND3TL1
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252
Dissipation de puissance (maximum)
44W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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