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QS8J2TR

QS8J2TR

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Numéro d'article
QS8J2TR
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Puissance - Max
550mW
Package d'appareil du fournisseur
TSMT8
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1940pF @ 6V
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Mots-clés de QS8J2TR
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