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EMH1T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Numéro d'article
EMH1T2R
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-563, SOT-666
Puissance - Max
150mW
Package d'appareil du fournisseur
EMT6
Type de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)
50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Fréquence - Transition
250MHz
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)
22 kOhms
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