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BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Numéro d'article
BSM120D12P2C005
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Colis/Caisse
Module
Puissance - Max
780W
Package d'appareil du fournisseur
Module
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
120A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
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