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2SK2887TL

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Numéro d'article

2SK2887TL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

CPT3

Dissipation de puissance (maximum)

20W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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