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UPA2765T1A-E2-AY

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

Numéro d'article

UPA2765T1A-E2-AY

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-HVSON (5.4x5.15)

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta), 83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 32A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6550pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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