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NVTFS6H850NTAG

MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN

Numéro d'article

NVTFS6H850NTAG

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-WDFN (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 107W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Ta), 68A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 70µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11.4nF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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