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NVD5890NT4G

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Numéro d'article

NVD5890NT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

4W (Ta), 107W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

24A (Ta), 123A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4760pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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