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NTTFS4H05NTAG

MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL

Numéro d'article

NTTFS4H05NTAG

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-WDFN (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.66W (Ta), 46.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

22.4A (Ta), 94A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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