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NTMD6N02R2G

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Numéro d'article

NTMD6N02R2G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

730mW

Package d'appareil du fournisseur

8-SOIC

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.92A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 16V

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