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NTMD6601NR2G

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Numéro d'article

NTMD6601NR2G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

600mW

Package d'appareil du fournisseur

8-SOIC

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.1A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

215 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

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