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NTLUF4189NZTBG

NTLUF4189NZTBG

MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
Numéro d'article
NTLUF4189NZTBG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-UDFN (1.6x1.6)
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
95pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de NTLUF4189NZTBG
NTLUF4189NZTBG Composants électroniques
NTLUF4189NZTBG Ventes
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