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NTHS5441PT1G

NTHS5441PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Numéro d'article
NTHS5441PT1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Flat Lead
Package d'appareil du fournisseur
ChipFET™
Dissipation de puissance (maximum)
1.3W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.9A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 5V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
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Coordonnées
Mots-clés de NTHS5441PT1G
NTHS5441PT1G Composants électroniques
NTHS5441PT1G Ventes
NTHS5441PT1G Fournisseur
NTHS5441PT1G Distributeur
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