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NTD23N03RT4

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

Numéro d'article

NTD23N03RT4

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Vgs (Max)

±20V

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