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NTB6412ANT4G
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NTB6412ANT4G

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Numéro d'article
NTB6412ANT4G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
167W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
58A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
18.2 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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