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NDS9953A

MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Numéro d'article

NDS9953A

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

900mW

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 P-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.9A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

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