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NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Numéro d'article
NDS8852H
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.3A, 3.4A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
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