L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
IRF630B_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Numéro d'article
IRF630B_FP001
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3
Dissipation de puissance (maximum)
72W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 10621 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de IRF630B_FP001
IRF630B_FP001 Composants électroniques
IRF630B_FP001 Ventes
IRF630B_FP001 Fournisseur
IRF630B_FP001 Distributeur
IRF630B_FP001 Tableau de données
IRF630B_FP001 Photos
IRF630B_FP001 Prix
IRF630B_FP001 Offre
IRF630B_FP001 Prix le plus bas
IRF630B_FP001 Recherche
IRF630B_FP001 Achat
IRF630B_FP001 Chip