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HUFA76609D3S
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HUFA76609D3S

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Numéro d'article
HUFA76609D3S
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
UltraFET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252AA
Dissipation de puissance (maximum)
49W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
425pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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