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FQPF5N60CYDTU
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FQPF5N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
Numéro d'article
FQPF5N60CYDTU
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
QFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Package d'appareil du fournisseur
TO-220F-3 (Y-Forming)
Dissipation de puissance (maximum)
33W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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