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FQPF19N10L

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Numéro d'article

FQPF19N10L

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220F

Dissipation de puissance (maximum)

38W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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