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FQD5N50CTM-WS
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Numéro d'article
FQD5N50CTM-WS
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252, (D-Pak)
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
625pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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