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FDZ3N513ZT

FDZ3N513ZT

MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Numéro d'article
FDZ3N513ZT
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-UFBGA, WLCSP
Package d'appareil du fournisseur
4-WLCSP (1x1)
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Body)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.1A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
85pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3.2V, 4.5V
Vgs (Max)
+5.5V, -0.3V
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Mots-clés de FDZ3N513ZT
FDZ3N513ZT Composants électroniques
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