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FDS6299S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Numéro d'article

FDS6299S

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3880pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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