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FDN86501LZ

MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Numéro d'article

FDN86501LZ

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SuperSOT-3

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

116 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

335pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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