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FDN339AN_G

FDN339AN_G

MOSFET N-CH
Numéro d'article
FDN339AN_G
Fabricant/Marque
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SuperSOT-3
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de FDN339AN_G
FDN339AN_G Composants électroniques
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