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FDMS86101

MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Numéro d'article

FDMS86101

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12.4A (Ta), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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