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FDMC15N06

MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP

Numéro d'article

FDMC15N06

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.3W (Ta), 35W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.4A (Ta), 15A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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