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FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Numéro d'article
FDFME2P823ZT
Fabricant/Marque
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-MicroFET (1.6x1.6)
Dissipation de puissance (maximum)
1.4W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Mots-clés de FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT Composants électroniques
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