ON Semiconductor
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FDFMA3N109
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FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Numéro d'article
FDFMA3N109
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-MicroFET (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
1.5W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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