ON Semiconductor
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FDD86102
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FDD86102

MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Numéro d'article
FDD86102
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
D-PAK (TO-252)
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Ta), 36A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1035pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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