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FDD6612A

MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

Numéro d'article

FDD6612A

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-PAK (TO-252)

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 36W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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