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FDD3860

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Numéro d'article

FDD3860

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-PAK (TO-252AA)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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