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FDD14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Numéro d'article

FDD14AN06LA0

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252AA

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.5A (Ta), 50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2810pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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