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FDB060AN08A0

MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB

Numéro d'article

FDB060AN08A0

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK

Dissipation de puissance (maximum)

255W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

75V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16A (Ta), 80A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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