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FDB024N08BL7

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Numéro d'article

FDB024N08BL7

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Package d'appareil du fournisseur

D²PAK (TO-263)

Dissipation de puissance (maximum)

246W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

178nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

13530pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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