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EFC6612R-TF

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Numéro d'article

EFC6612R-TF

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-SMD, No Lead

Puissance - Max

2.5W

Package d'appareil du fournisseur

6-CSP (1.77x3.54)

Type FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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