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BSS138-T

INTEGRATED CIRCUIT

Numéro d'article

BSS138-T

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

50V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

220mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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