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BS170RL1G
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BS170RL1G

MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92
Numéro d'article
BS170RL1G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package d'appareil du fournisseur
TO-92-3
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
500mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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