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BS108ZL1G

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Numéro d'article

BS108ZL1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

350mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

250mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 2.8V

Vgs (Max)

±20V

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