Acheter Microsemi Corporation APTM50DDA10T3G MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

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APTM50DDA10T3G

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Numéro d'article

APTM50DDA10T3G

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

SP3

Puissance - Max

312W

Package d'appareil du fournisseur

SP3

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

500V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

37A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4367pF @ 25V

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